买卖IC网 >> 产品目录 >> BSM50GD60DLCE3226 IGBT 模块 N-CH 600V 70A datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BSM50GD60DLCE3226

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 模块 N-CH 600V 70A
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 N-CH 600V 70A
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制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO 600 V
集电极—射极饱和电压 2.2 V
在25 C的连续集电极电流 70 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 250 W
最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 EconoPACK 2A
封装 Reel
相关资料
属性
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代理商 BSM50GD60DLCE3226
BSM50GD60DLC-E3226
BSM50GP120
BSM50GP60
BSM50GP60_B2
BSM50GP60G
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  • BSM50GD60DLCE3226 参考价格
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